Simplificate 2.0

Si algo parece muy complicado, es que esta mal explicado.

Polarización de transistor NPN en saturación.

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Transistor, ese gran desconocido.

Primer transistor tal como se diseño en los laboratorios Bell

Mientras escribia sobre la placa y el proyecto “profesional” me di cuenta de que nunca había hablado de los transistores y aunque estan presentes en todo lo que se enchufe, conecte o tenga pilas a veces son dificiles de entender su funcionamiento y por que no decirlo, como hacer que funcione tal y como te lo explican por hay parece una especie de extraña ciencia cuasi científica con cientos de valores y datos más raros que “un piojo verde”.

Tener medianamente claro como funciona un transistor me ha costado tiempo, sudor y lagrimas pero ahora comienzo a entender un poquito de que va el lío y la verdad que no lo entendí antes por que no lo explica nadie como dios manda, para tontos como yo así que me he propuesto intentar explicarlo.

Para mi el transistor es un potenciometro variable, tal cual lo digo, y lo podemos asemejar de la siguiente manera:

  • Colector y emisor: Son las patas del potenciometro, donde estan las puntas de la resistencia fija.
  • Base: Es el “palo” del potenciometro y donde vamos nosotros a actuar para que haga algo.

Y en esto tenemos que tener en cuenta que la base a diferencia de ser movida por la mano, como en un potenciometro real, se mueve por corriente (entendiendose corriente como amperios, o sus multiplos y submultiplos), a más corriente des a la base más corriente dejara esta pasar por el colector, cuanto más gires el “palo” menos resistencia opone al paso de la corriente.

Voltajes y corrientes de un transistor NPN.

Este simbolo representa cualquier transistor bipolar del tipo NPN, la flecha señala la pata del Emisor, junto al símbolo se muestran las corrientes y tensiones que influyen en el funcionamiento del transistor y abajo la comparación con un potenciometro común, la base seria el terminal variable, y los de los extremos el colector y emisor.

Las partes de un transistor bipolar de unión son:

  • Colector: aunque el nombre parece que no le viene a nada si que es por algo, el colector “colecciona” corriente positiva, corriente que sea más positiva que la que haya en el “emisor”.
  • Base: es el control de nuestro “potencíometro”, se llama base justamente por que es la base del funcionamiento del transistor y para que funcione el transistor debe de estar entre 0,5 y 0,7 voltios más positiva que el emisor, depende de este voltaje la región en la que esta el transistor funcionando.
    • La base tiene una relación directa con el colector, es la “llave” de nuestro grifo de corriente, esta relación viene definida en un parámetro que veremos más adelante en otra entrada.
  • Emisor: el emisor es por donde la corriente se “va” hacía la pila o generador o lo que sea, por donde todas las corrientes van a salir del transistor, la corriente que circulara el emisor es igual a la suma de la intensidad de colector y la de base pero al ser tan insignificante la de base se considera que la intensidad del colector es la misma que la del emisor ( se llama emisor por que “emite” electrones hacia el colector, que los “colecciona” para mandarlos a “pernambuco” ).

Intensidad del Emisor = Intensidad de colector + Intensidad de la base ≈ Intensidad de Colector.

Aunque en la vida real los electrones se encuentran en la parte negativa de la batería ( justamente el exceso de electrones en el borne negativo y la falta en el positivo generan el flujo de corriente eléctrica que se mide en Voltios, en honor a Alessandro Volta, quién invento la primera pila electrica ) por convenio se dice que la corriente eléctrica fluye del borne positivo al borne negativo, pero la realidad es que es lo contrario y en el caso del transistor el emisor debe su nombre a que es el que emite los electrones hacia la base y el colector.

De todas formas la flecha que indica que tipo de transistor es, si que sigue el convenio y marca que la corriente fluye de la base al emisor ( ya que lo hacen mal podían haber puesto los nombres de las patillas del revés y así coincide todo, pero ya se sabe, para qué hacerlo fácil pudiendo hacerlo difícil ).

Datos básicos del transistor (los que hay que mirar).

Los transistores los hay de muy diversas formas y capacidades técnicas ( no todos los transistores valen para todo, algunos son más apropiados para señales de audio y otros para controlar motores ), todos ellos tienen en común una serie de parámetros básicos, los cuales debemos tener en cuenta a la hora de usar el transistor, ya que si son muy distintos uno de otro puede quemarse o no funcionar apropiadamente.

Los datos básicos vienen definidos en un documento que nos da el fabricante y que se encuentra muy fácilmente por Internet, el Datasheet ( algunos le dicen Dataset ), para el ejemplo vamos a usar el transistor de media potencia BC547, realmente da lo mismo que fabricante sea el que hizo tu transistor pues el Datasheet sirve igualmente para el de otro fabricante siempre que tenga el mismo numero de modelo.

Ejemplo de hoja de datos del transistor NPN BC 547: BC547

Valores máximos que soporta el transistor.

Primera pagina del Datasheet de un transistor BC 547 C.

Arriba del todo a modo de titulo podemos encontrar los modelos de transistores para los que sirve este Datasheet, ademas a la izquierda indica que tipo de transistor es ( NPN o PNP)

A la derecha de la hora podemos ver la correspondencia de los pines con la función que desempeña cada uno, esta correspondencia es común para todos los transistores NPN que compartan el mismo encapsulado, así que por ejemplo si tienes que cambiar uno y no encuentras el mismo puedes poner otro de la misma familia y encajara perfectamente.

A la izquierda podemos ver que el fabricante nos indica otros transistores más apropiados para otras tareas para las que están más preparados que este.

Los datos más importantes a la hora de decidir si sirve este transistor o no para lo que queremos usarlo esta en el apartado primero de casi todos los Datasheet “Absolute Maximum Ratings” o en español ” como te pases de lo que pone aquí te toca ir a Novaelect a esperar 2 horas para que te digan que no hay”.

Fijarse que hay características que difieren de un modelo a otro estos se marcan con la numeración del transistor seguido del valor que difiere de uno a otro.

Explicación de cada punto:

  • Vcbo: Máxima tensión que soporta entre el Colector y la base, se aprecia que el modeo que hemos escogido el BC 547 solo soporta 50 Voltios de diferencia entre el Colector y la Base, así que no podemos usar una fuente de alimentación de más de 50 Voltios, sino se quema.
  • Vceo: Máximo voltaje entre Colector y Emisor, como en el caso anterior nos limita el voltaje de alimentación del circuito.
  • Vebo: Máxima tensión entre Base y Emisor, si cuando polarizas el transistor excedes los 6 voltios se quemara la base y nunca más funcionara, el no exceder los 6 voltios tampoco es garantía de que no se queme, si superas la intensidad máxima de base se quema también.
  • Ic: Corriente que es capaz de soportar el transistor en su parte de fuerza, esto es entre Colector y Emisor.
  • Pc: Potencia nominal que disipa el transistor, aquí dice 500 mW, se calcula de la siguiente manera:

Potencia disipada = Voltaje entre Colector-Emisor * Intensidad de Colector.

Con estos datos deberíamos ser capaces de saber si el transistor sirve o no sirve para nuestros propósitos, que no es lo mismo que saber usarlo después, pero nada mejor que un ejemplo para ilustrarlo:

Ejemplo:

Queremos hacer que al pulsar un botón se encienda una luz, esta luz esta alimentada con 48 voltios de corriente continua y circula una intensidad por ella de 500 mA, ¿ Puedo usar el transistor BC-547 como interruptor en el circuito de esta luz?

Estudiemos el enunciado, dice que tenemos una luz ( realmente nos da igual lo que sea ) que se alimenta a 48 Voltios de corriente continua, ( esto si es importante ya que determina el Vce que debe soportar el transistor ) y dice también que circulara una intesidad de 500 mA ( lo cual determina el Ic mínimo que necesitamos ).

A la vista de los datos el transistor BC 547 C no es capaz de operar correctamente con esta carga, ya que supera la intensidad de colecto Ic y también el Vce del transistor, si aun así lo intentamos tendremos una bonita explosión o incluso una fogata.

Deberíamos buscar un transistor cuyo Vbe sea superior a 48 Voltios ( ¿ Por qué? pues porque cuando el transistor este en corte “apagado” entre su colector y emisor estarán los 48 Vdc del circuito ) y tambien debe ser capaz de permitir el paso de 500 mA ( Ic > 500 mA).

Ejemplo 2: Este sí lo vamos a poder realizar con el BC547.

Queremos activar un rele de 12 Voltios de corriente continua, cuya bobina consume un máximo de 60mA, a su vez este relé activara la bombilla del ejemplo anterior.

Estudiemos el enunciado esta vez, sacamos de conclusión de que Vbe esta vez es 12 VDC y Ic es 60 mA, que si que lo soporta el BC547, así que ya podemos usarlo para encender el relé.

Llevar el transistor a saturación.

Los transistores tienen tres estados de trabajo, saturación, corte y región activa “lineal”, depende de para que queramos usar el transistor usaremos alguna de las tres opciones:

  1. Estado de corte: Es el estado normal en el que el transistor se encuentra si no le aplicamos nada a la base, en este estado es como un cable suelto, un interruptor abierto o un botón sin presionar, en la mayoría de los casos podemos simplificarlo como eso, un simple interruptor abierto, continuando con el ejemplo del potenciometro sería como ponerlo al máximo de resistencia (seria miles de mega Ohm).
  2. Estado de saturación: En este estado el transistor simula a un interruptor cerrado, y para saber como llevar al transistor a este estado hay que leer el Datasheet (o usar el método del tío vago, que veremos más adelante), usando el ejemplo del potenciometro sería como ponerlo al mínimo, donde la resistencia sería casi 0, o muy cercana a 0 ohmios.
  3. Estado de “región activa lineal”: Es un estado en el que la corriente que circula el transistor es equivalente a la que circulara a la base, es cuando se comporta como un “potenciometro” controlado y en este estado podemos “girar el palito” a nuestro antojo para subir o bajar la resistencia del potenciometro.

Para poder diferenciar un estado de otro solo debemos mirar el Datasheet donde el fabricante ya nos pone los valores típicos para su transistor.

Explicación de cada punto:

  • Icbo: Es la corriente máxima que va a circular nuestro transistor cuando este en estado de corte, ya hemos dicho que en corte es como si pusiéramos el potenciometro al máximo de resistencia (cientos de mega ohmios ) pero aun así algo de corriente puede circular y este es el parámetro donde te lo indica, según el fabricante aplicando una tensión de 30 voltios entre colector y base circularan tan solo 15 nano Amperios, podemos aplicar la ley de ohm y sabiendo que R=V/I, sabiendo V=30, I= 0,000000015 A nos da un R=2000000000 Ohmios.
  • Hfe ó Beta: En otros manuales y libros puede venir como Beta del transistor, es el parámetro que relaciona la corriente de colector y la corriente de base, el fabricante nos da el valor máximo ( 800 )y el mínimo (110), ¿Por qué nos da valores aproximados y ademas tan lejanos uno de otro?, pues por que por el proceso de fabricación cada uno puede tener una diferencia con otros de la misma tirada y tipo, el fabricante nos garantiza el mínimo, y ese es el que usaremos para los cálculos.
  • Vce (sat): Tensión entre colector y emisor cuando esta en saturación, se comporta como un potenciometro al mínimo, pero incluso al mínimo siempre hay algo de resistencia interna, esta resistencia interna te va a producir una caída de voltaje de como máximo 250 mV, que apenas afecta a nada, despreciable.
  • Vbe (sat): Tensión de saturación del transistor, es la tensión que hay que aplicar a la base para que se sature, si aplicamos menos realmente no estaremos trabajando en saturación sino en la región activa lineal, ademas el fabricante nos dice que debe circular la base un total de 0.5 mA para que este en saturación.
  • Vbe (on): tensión a aplicar para que trabaje en la región activa lineal, seguro que ya lo habéis visto todos, es la tensión para “enceder” el transistor pero que no llevara a este a la saturación sino que lo dejara en el modo “potenciometro controlable”, por ahora ni lo miramos ya que no nos interesa.

De todos estos parámetros lo que vamos a usar el siguiente:

Vbe (sat) : Tensión y corriente para saturar el transistor, en nuestro caso 0,7 voltios y 0,5 mA.


En la imagen superior se ve un ejemplo de polarización de un transistor NPN activado por un microprocesador, se puede apreciar que en paralelo con la carga “load” se encuentra un diodo que en estado normal estaría polarizado a la inversa, este diodo tiene una función que comentare por encima, imaginemos que la carga “load” es una carga de tipo inductivo (la bobina de un rele es inductiva ya que genera campo magnético cuando lo activas y este campo atrae un trozo de metal que cierra los contactos ) mientras se le esta aplicando corriente no hay problema, se genera el campo magnetico y se cierra el contacto del rele, pero cuando se desactiva el rele se corta la corriente y el campo magnético generado en la bobina se “desmorona” y genera un fenomeno de autoinducción que puede dar lugar a un voltaje excesivo para el transistor, al poner el diodo nos aseguramos que si se genera este voltaje fluirá desde el ánodo del diodo al cátodo y de hay a la fuente de tensión de 10 VDC, ya que para polarizar el diodo esta tensión debe ser 0,7 VDC superior que 10 Voltios, y si es superior fluirá hacia allí.

En el ejemplo de polarización también vemos que la base del transistor tiene una resistencia de 1K Ohm, entre la salida del microprocesador y la entrada de la base, esta resistencia se llama resistencia de base y se usa para limitar la tensión y corriente que llega a la base, todos los circuitos que necesiten usar un transistor tienen por fuerza que tener una resistencia de base.

Entonces si queremos usar el transistor en su estado de saturación debemos calcular esta resistencia a partir de los datos que tenemos disponibles:

Tensión = 0,7 Voltios, según fabricante.

Intensidad = 0,0005 Amperios.

Ley de Ohm = V / I

Solo debemos calcular la resistencia de base del transistor, supongamos que lo activa un integrado de tecnologia TTL, como un Arduino o una puerta lógica del tipo 74XX, cuya salida para un 1 logico es 5 voltios pues nada, quedaría así:

Resistencia de base =  ( 5 voltios del integrado) – ( 0,7 voltios que deben llegar al transistor ) / 0,0005 Amperios de corriente que lo debe circular

Resultado = 8600 Ohm

Y con esta resistencia entre la base y el procesador cuando el micro active su salida a 5 Voltios al transistor le llegaran 0,7 voltios con una intensidad de 0,5 mA, lo que es necesario para entrar en saturación.

Written by cuningan

15 febrero, 2011 a 16:13

Publicado en Ciencia y tecnologia

56 comentarios

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  1. Excelente aporte. Ahora si ya comienzo a entender los transistores. Muchas gracias

    Armando Colindres Arriaza

    28 septiembre, 2017 at 21:18

  2. Excelente explicacion!!! Junto con los ejemplos es mucho mas facil de entender! 1000 GRACIAS por este aporte!!!!

    vikktorioso

    16 agosto, 2017 at 9:07

  3. esta muy buena la esplicacion gracias..

    bonifacio

    31 mayo, 2017 at 1:48

  4. Cada vez que me toca hacer un proyecto veo tu página y me acuerdo de lo que tengo que hacer, muchas gracias por este tutorial

    Edgar

    30 agosto, 2016 at 2:49

  5. Aunque el tema parece que lleva muerto bastante tiempo no me resisto a escribir unas palabras de agradecimiento.
    He leido libros y apuntes sobre transistores pero hasta ahora, sinceramente, no habia entendido casi nada. SIn embargo, descubrir tu explicacion en la red ha sido como ver la luz. No solo he entendido como funcionan de forma practica los transistores sino que ademas me ha animado a estudiar cuando estaba a punto de enviarlo todo a la mierda.
    Gracias de nuevo.

    loudnes

    11 mayo, 2016 at 4:55

  6. Cordial saludo, muy bueno el aporte y no hagas caso a esas mentes derrotistas las cuales no soportan que sean opacadas, generalmente a estas personasc se les dificulta pensar en grande debido a que se la pasan pensando en como hacer daño a los demas,,, “si yo no progreso que tampoco lo hagan los demas”

    Por ultimo tengo esta duda,– en los parametros de los transistores dice voltaje B-E es generalmente de 5 voltios “maximo” como es esto, dado que entre base y emisor hay un diodo y este se mantendria en .7 voltios en su juntura y por obligacion el voltaje sobrante se mantendria en la resistencia y esta se calentaria, y si bajo el valor de la resistencia podria no operar en el maximo de saturacion el transistor, que es lo que necesito.

    mi caso puntual es: fuente de 12 voltios, menejar una carga de 2 amperios con untransistor b772, como calcular esta r de base? como la salida de un microcontrolador es de baja corriente de salida entonces opto por colocar un transistor 2N2222 para alimentar la base del b772, ahora lo estoy haciendo con el 2N2222 emisor a tierra, resistencia de 270 ohmios de colector a la base del b772 y la entrada de base del 2n2222 desde el micro con una r de 1k. me esta trabajando pero tengo dudas de su duracion.

    Mi whatsapp 3192914483 en Colombia, te agradezco de antemano si puedes despejarme esta duda.
    Gracias y muchos exitos

    jorge henao

    21 abril, 2016 at 17:25

  7. Hola,
    La conclusión de los cálculos es que hay que poner una resistencia de 8K6 Ohms, pero en la imagen (y en otras que he visto), utilizan una resistencia de 1K Ohm.

    Con la ley de ohm vemos que esto implica que pasa mucha más corriente por la base: en lugar de los 0,5mA, pasarán 4,3mA.
    ¿Por que utilizan una resistencia tan pequeña?
    ¿Cuál es la intensidad máxima de la base? (en el datasheet no se ve un Ib máxima)
    Gracias!

    spike

    16 enero, 2016 at 17:38

  8. Buen trabajo Cuningan, Gracias, me ha sido util

    Miguel

    17 julio, 2014 at 12:32

  9. Hola , gracias por esta buena explicacion sin embargo quisiera consultarte algo , necesito manejaru n puente H , este puente h esta formado por 2 pnp y 4 npn ,

    el diagrama es el siguiente

    http://www.laneros.com/attachments/puente-h-pnpdac-jpg.204414/

    y los calculos los hago asip

    -vcc + vebq1 + vr1+ vc Q5 + Vbeq5 =0
    -vcc + 0.7v + vr1 + 0 1 + 0.7v = 0
    -vcc + 1.5V + Vr1=0
    Aqui no tengo algo claro , puedo remplazar el voltaje de la r1 por la ley de ohm es decir dejar esto

    -vcc+1.5V + Icq5 x R1 =0

    R1=vcc – 1.5 /Icq5

    no se si deba tomar ese icq como la I que va a manejar mi motor o lo que este moviente , y luego de hallar esa R1 , esa corriente que pasa por la otra resitencia R3 en cuanto la deberia manejar

    Gracias y espero me puedas hechar una mano

    Danilo

    17 febrero, 2014 at 19:41

    • Si vas a controlar un puente en h solo debes calcular la resistencia de las bases como si los transistores no existieran.

      cuningan

      13 mayo, 2014 at 21:24

  10. woooow!!! esta explicacion esta tremenda!!! no entendia lo de los datasheet y aqui lo he entendido, lo has hecho ver muy sencillo, muy buena explicacion!!!!

    joe

    22 septiembre, 2013 at 3:42

  11. hola migo cuningan exelente aporte, bueno mi incognita sobre este tema de los transistores es como se halla la transconductancia (gm) en el transistor npn 2n2222 viendo el data sheet de este por favor ayudame con esa preguntita te lo agradecieria de antemano. saludos y sigue informandonos todo sobre electronica.a si puedes enviame la respuesta ami correo: denis_177_4@hotmail.com

    deniselctronic

    12 mayo, 2013 at 19:05

    • Bueno te voy a responder pero aquí, ademas puedes activar el envió de respuestas al email.
      Bueno entrando en materia, la transconductancia del transistor MOSFET ( solo mosfet ) es un parametro que define la relación entre la corriente de salida del FET y el voltaje de entrada en la puerta.
      Esta característica en el 2n2222 se llama hfe, y relaciona la corriente de la base con la corriente del colector.

      cuningan

      14 mayo, 2013 at 22:27

  12. perfecta explicación.. gracias pro el aporte

    Bernardo

    8 mayo, 2013 at 6:03

  13. Amigoo de antemano muchas gracias por la explicación! muy clara poca gente se interesa en que las cosas sean simples (=.
    Tengo una duda muy grande todavía… si restas los 5V( de tu pulso) con 0.7V (el necesario para la saturación), no estarías mas bien dandole 4.3V al transistor en vez de 0.7V?. Ya que despejando la corriente el voltaje es igual a 4.3 …..
    Saludos! (=

    マヌ くん

    5 abril, 2013 at 17:57

    • Por eso esta la resistencia de base, para comerse los 4,3 Voltios de diferencia, tienes que calcular la resistencia haciendo la cuenta, esto es 4,3 Voltios de diferencia entre tu pulso y lo que el transistor necesita dividido por la corriente de base que quieres que tenga el transistor (yo por defecto calculo 20 mA siempre ) así que queda 4,3/0,02 = 215 Ohm de resistencia de base, para no pelearnos 220 1/4 de watt y listo.

      cuningan

      9 abril, 2013 at 17:49

  14. Muy buena explicación.

    Qué pasa con los transistores de potencia ?, por ejemplo el BD707 NPN, se puede aplicar la misma forma para calcular la resistencia de la base?

    Para este caso siguiendo su procimiento sería:
    Rbase=(Vfuente-Vcesat)/Ibsat = (5V-1V)/0.4A = 10ohm

    Pero en la hoja de datos veo que junto a los valores de Vcesat hay una Ic=4A…, esto significa que debo mantener una corriente mínima Ic=4A para mantener en saturación el transistor?

    Que significa para esta misma hoja de datos el valor Vceo(sus) ? es porque en algunas hojas de datos de transistores de potencia veo que dice ” (sus) ” pero no se que significa.

    Gracias

    ABC

    11 febrero, 2013 at 19:19

    • En las hojas de datos te dan las condiciones a las que se probaron, por ejemplo si te dice Vce(sat) 0,6 y despues te indican que corriente de colector usaban par ala prueba, mas abajo debe de haber una grafica que te relaciona la corriente de colector con la tension Colector- Emisor.
      El calculo de la resistencia lo puedes hacer así, pero ten en cuenta que para los transistores de potencia ya no vale con usar un pin del Arduino / PIC ya que no tienen capacidad en corriente suficiente y va a ser muy ineficiente energeticamente, aunque tambien existen los transistores de potencia Darlington.

      cuningan

      12 febrero, 2013 at 15:16

  15. fooooooc

    gogeta

    9 enero, 2013 at 22:39

  16. buena explicacion ahora se un poco mas sobre los transistores gracias por el aporte

    jese

    18 noviembre, 2012 at 17:24

  17. deberias explicarnos como se maneja el manual ecg, en otro post

    oscar flores

    4 noviembre, 2012 at 17:18

  18. que mala esta explicación a cerca del transistor.
    mejor pregúntenle a un ingeniero.
    ellos si saben que es un transistor, cual es su función, tipos de polarización etc….
    y deben llamarle a cada cosa por su nombre.

    Luis

    4 octubre, 2012 at 8:42

    • Explicalo tu, mandamelo a un e-mail y me hablas de la barrera del electron y de los voltajes de salto y toda esa paja mental y lo publico ¿ok?

      cuningan

      5 octubre, 2012 at 8:21

    • si a mi tambien me mandas la informacion pero si te cobra este ingeniero ese ya no es mi problema tu solamente mandame la informacion no la tarifa ok

      jese

      18 noviembre, 2012 at 17:22

    • Pues conozco muchos ingenieros que saben hablarte de la barrera de polarización del transistor pero no saben como cohones funciona, y si no te gusta la explicación te vas a google y te lees la wikipedia y no vagueas buscando alguien que te haga el trabajo sucio.

      cuningan

      13 enero, 2013 at 17:04

    • No conozco a ningún ingeniero en electrónica, pero si tú puedes explicarlo mejor, la RED te lo agradecería, de momento me quedo con este información que despeja muchas dudas.
      En este mundo abitan muchos tipos de personas, yo me quedo con las que intentan enseñarnos o disipar nuestras dudas a cambio de nada.
      Es mas gratificante construir que destruir y te animo a que nos ilustres con tu sabiduría ya que tu negatividad no me reporta nada.

      Saludos D.Luis

      Juan

      18 febrero, 2013 at 19:59

      • Hombre!!! alguien que me sorprende con su comentario, gracias, la verdad que te quita mucho el animo los comentarios negativos por que no gano nada con este blog, más bien pierdo dinero, del dominio y de mi tiempo en escribir en el, y ahora estoy menos activo por el desanimo pero ya pondre algo proximamente.

        cuningan

        7 marzo, 2013 at 12:37

        • cunigan, no te desanimes, siempre te vas a encontrar gente que no le gusta lo que haces, son mas o menos 3 a 1, siempre. Lo importante es que vos te sientas bien por lo que hiciste habiendolo hecho lo mejor posible.
          Por mi parte la info de esta pagina es excelente y muy didactica, de hecho entendi algo que no habia entendido en mucho tiempo y me anima a seguir investigando mas. buen aporte!!
          Gracias

          fabian

          12 abril, 2013 at 16:10

        • Llevo leyendo bastantes textos sobre transistores porque era algo que se me resistia. He leido libros para ingenieros, textos por ingenieros, manuales para torpes, revistas, decenas de similes y ejemplos, he llegado a entender como funciona un transistor a nivel fisico pero HASTA LEER TU EXPLICACION no habia comprendido como aplicarlos.

          Has escrito, ademas con diferencia, el texto mas esclarecedor sobre transistores que ha llegado hasta mis manos y he leido textos en varios idiomas. Deberias dedicarte a escribir libros de enseñanza o enseñarle a todos esos GURUS a decir las cosas CLARAS, como se las dicen a sus madres no a sus compañeros de facultad para que piensen “¡joh que bien habla, esa palabra no la conocia!”.

          En nombre del fuckin mundo, GRACIAS y maldito seas google.com por no devolver esta pagina como la #1 cuando se busca “como funciona transistor”.

          Pd.
          Solo te reprocharia el no explicar mejor de donde sacastes esos 0,0005A aunque en una de tus respuestas he creido entender que ese valor se establece segun las necesidades que tenga el circuito conectado al transistor.

          null

          3 julio, 2013 at 16:32

          • Gracias hombre, a veces me sale una explicación buena y otras veces un churro, se intenta por lo menos y eso si, mi norma es contestar a todos porque si se toman la molestia de escribir yo me la tono de leer.
            Los 0,0005 creo su no me falla la memoria que es la corriente de polarización de la base, algún día de estos haré una V2 del transistor para ver realmente como se usa en la vida real, al fin y al cabo es en la vida real donde los usamos y la teoría es teoría, la práctica es otra cosa y es común polarizar los transistores a tope aunque no te haga falta y algunos vicios más que se cogen al hacer placas y el ensayo error.

            cuningan

            3 julio, 2013 at 23:21

            • Tio no te rayes, yo estoy estudiando ingeniería y después de leer muchísimo y verme un montón de videos, ha sido con tu explicación y otra que he encontrado por ahí en otro blog cuando por fin lo he entendido todo, ha sido como una especie de iluminación (y no ha sido por la comparación del potenciómetro jeje), y lo que tienen los dos blogs en común es la sencillez de la explicación, y tu detalle de explicar con claridad lo del datasheet ha sido un puntazo. Aún así voy a aprovechar para hacerte una pregunta, cuando la base se satura al darle la suficiente corriente, a partir de ese momento (saturación) puedo hacer que Ic sea la que yo quiera para usar sobre la carga, dependiendo de la resistencia Rc que le ponga y el voltaje al que esté conectado esta Rc; pero al aumentar la corriente Ic, ¿Ib también aumenta o se queda tal y como la hayamos configurado, es decir, con la Ib=(Vin-Vbesat) / Rb? la relación Ic = beta * Ib ¿deja de cumplirse?

              Muchas gracias. Sólo he leido esto post de tu blog, pero si todo lo explicas así, debe de estar bastante bien. Un saludo.

              Jose Luis

              28 diciembre, 2015 at 21:10

              • Pues mira, no se cuando hiciste la consulta pero te respondo ahora, Ib no se va a ver modificado en nada, incluso puede disminuir debido al efecto resistivo del emisor, al pasar más corriente el voltaje Vce (Voltaje entre el colector y el emisor ) aumentara por la propia resistencia de las patillas del transistor y por la resistencia interna del material que este hecho el transistor, pero claro, esto todo si antes no se a frito vivo por el calenton que le metes.
                En saturacion hay un dato importante a tener en cuenta, que es la gráfica de Vce con Ic, a más Ic más aumenta el voltaje que el transistor “opone” a la corriente esto hace que disipe mucho calor, exactamente Vce*Ic, y se tueste muy mucho muy pronto.

                cuningan

                14 enero, 2016 at 21:38

  19. Felicidades, haces amenas y sencillas unas explicaciones generalmente muy complejas

    Manu

    23 septiembre, 2012 at 9:44

  20. la verdad es que no me has resuelto la duda que me trajo a tu blog 😦

    pero me he reído bastante y seguro que ahora se algo más de los transistores 😉

    en cualquier caso, gracias, el resultado es positivo

    josdios

    25 abril, 2012 at 10:48

  21. mis cordiales saludos y sigue asi. barrilete cosmico

    electroniq

    14 enero, 2012 at 6:08

  22. gracias

    Steven

    30 diciembre, 2011 at 6:05

  23. Muy bueno, en verdad felicidades, y si no es mucho pedir ojalá publicases análisis en alterna para como llegar al punto Q, si es que sabes como hacerlo te agradecería la explicación.

    Oscar

    26 octubre, 2011 at 0:38

    • Tengo un post sobre ese tema en el horno, pero es un analisis complejo que quiero explicar de la mejor forma posible, así que seguramente haga un post primero de teorema de Thevenin y teorema de las mallas.

      cuningan

      29 octubre, 2011 at 10:59

    • Ya tienes una pagina dedicada a eso mismo en este blog, anda perdida por aquí, es el calculo de un amplificador en emisor común, vienen todos los cálculos y un excel que te facilita la vida.

      cuningan

      13 enero, 2012 at 1:04

  24. Muy bueno, t felicito por explicar tan claro!

    yiyito04

    30 septiembre, 2011 at 5:57

  25. Era justo la explicación que llevo buscando desde hace tiempo. Muchas gracias.

    Fernando

    19 septiembre, 2011 at 20:14

    • Gracias por comentar, la verdad que es un poco espeso pero es que es así como funciona, cualquier duda comentas y ya esta.

      cuningan

      21 septiembre, 2011 at 19:56

  26. “…todos los Datasheet “Absolute Maximum Ratings” o en español ” como te pases de lo que pone aquí te toca ir a Novaelect a esperar 2 horas para que te digan que no hay”.”

    Me meo! xD Muy bueno Dani! No habia terminado de leer el post ayer, y como los apuntes se atragantan un poco, vengo a buscar salvación a las buenas explicaciones!

    Por cierto, en la captura de pantalla del primer “DATASET” se te quedó el puntero atrapado XD

    Espero mañana saber como utilizar un transistor en condiciones, de este post, me quedo sobretodo, con la magistral forma de aprender a leer y entender un datasheet.

    iPadnano

    18 febrero, 2011 at 2:19

    • Jajaja no me habia fijado en el puntero del Datasheet jauajuajua ni me “coscao”.
      Pos no te quedan “dataset” que leer jajaja

      Cuningan

      18 febrero, 2011 at 12:30

  27. Me quito el sombrero mostruo

    Manolo

    15 febrero, 2011 at 20:47

    • No te lo quite que hace frió jajaja

      Cuningan

      15 febrero, 2011 at 20:52

  28. Muy buena explicación y bastante completa. Saludos!

    Cesar

    15 febrero, 2011 at 17:59

    • Gracias, eso intento que quede claro y de forma concisa sin entrar en “la zona mistica” de la electrónica.

      Cuningan

      15 febrero, 2011 at 18:38

      • Buenas tardes,
        Antes de nada darte la gracias por este útil resumen de la polarización del transitor.

        Tengo la siguiente duda:

        De la hoja de características tomas el valor Vbe (sat) de 700mV e Ib de 0,5mA.
        ¿por qué esos valores y no Vbe (sat)= 900 Ib=0,5mA?.
        Supongo que esto depende de IC. Si Ic=70mA, ¿que valores tendría que considerar para realizar la polarización?.

        Gracias

        Pablo

        19 febrero, 2012 at 19:12

        • Pues da exactamente igual, lo que variara sera el valor de Vce, que con Vb 900 mV sera menor que con Vb 700 mV

          cuningan

          22 febrero, 2012 at 16:28

          • Mi duda esta relacionada. Si necesitas Ic=60mA (en el caso de mi aplicación 87mA) no debería elegir Vbe(sat) para Ic=100mA? Entonces el valor Ib=5mA. Me lia un poco esto.

            Si que es cierto que los transistores son algo extraños de entender, genial resumen. Gracias.

            markusand

            18 mayo, 2012 at 11:01

            • Lo normal, y por normal digo el 99,9% de las veces es que quieras usar el transistor como interruptor, por lo que te interesa que pase de corte a saturacíon en un tiempo minimo y de saturacion a corte de la misma manera.
              Para eso lo suyo es coger el valor Hfe más bajo que tenga el transistor y calculas, te garantizas que va a funcionar perfectamente siempre.
              El Vbe(sat) lo que te dice es que diferencia de voltaje abra entre base y emisor cuando este en saturacion, no confundas con que si le pones Vbe(sat) en la base vaya a saturar, dependera de cuantos mA circulen de base a emisor.

              cuningan

              22 mayo, 2012 at 16:21


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